Технічні характеристики

• серії
  Z-FET™
• пакет
  Bulk
• статус частини
  Active
• фет типу
  2 N-Channel (Half Bridge)
• функція fet
  Silicon Carbide (SiC)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  1200V (1.2kV)
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  423A (Tc)
• rds on (max) @ id, vgs
  5.7mOhm @ 300A, 20V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.3V @ 15mA (Typ)
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  1025nC @ 20V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  11700pF @ 600V
• потужність - макс
  1660W
• Робоча температура
  150°C (TJ)
• тип монтажу
  Chassis Mount
• пакет / футляр
  Module, Screw Terminals
• пакет пристрою постачальника
  Module