Технічні характеристики

• серії
  C2M™
• пакет
  Tube
• статус частини
  Not For New Designs
• фет типу
  N-Channel
• технології
  SiCFET (Silicon Carbide)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  1700 V
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  72A (Tc)
• напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
  20V
• rds on (max) @ id, vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (макс.) @ id
  4V @ 18mA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  188 nC @ 20 V
• vgs (макс.)
  +25V, -10V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• функція fet
  -
• Розсіювана потужність (макс.)
  520W (Tc)
• Робоча температура
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Through Hole
• пакет пристрою постачальника
  TO-247-4
• пакет / футляр
  TO-247-4