-
-
Низька ціна через Factory-Direct
Працюйте безпосередньо з фабрикою електроніки, щоб уникнути посередників. Новий оригінал з низькою та зниженою ціною
-
Безпека та якість Надійність
Система страхування якості для чудової якості продукції. Вчасне, щоразове забезпечення якісних компонентів.
-
Понад 15 мільйонів запасів
100+ найвідоміших світових виробників, понад 15 мільйонів запасів. Доступні запаси, які можна придбати безпосередньо зі знижкою.
-
Дружнє обслуговування клієнтів
Універсальне рішення, персоналізоване відповідно до ваших унікальних вимог. Підтримка веб-сайту на 12 мовах, більше зручності та швидкі послуги.
SI7980DP-T1-GE3
Виробник
категорія продукту
транзистори - фети, мосфети - матриці
опис
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн
Технічні характеристики
-
серіїTrenchFET®
-
пакетTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
-
статус частиниObsolete
-
фет типу2 N-Channel (Half Bridge)
-
функція fetStandard
-
напруга відведення до джерела (vdss)20V
-
струм - безперервний злив (id) при 25°c8A
-
rds on (max) @ id, vgs22mOhm @ 5A, 10V
-
vgs(th) (макс.) @ id2.5V @ 250µA
-
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs27nC @ 10V
-
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds1010pF @ 10V
-
потужність - макс19.8W, 21.9W
-
Робоча температура-55°C ~ 150°C (TJ)
-
тип монтажуSurface Mount
-
пакет / футлярPowerPAK® SO-8 Dual
-
пакет пристрою постачальникаPowerPAK® SO-8 Dual
