SI7962DP-T1-E3

SI7962DP-T1-E3

Виробник

Vishay / Siliconix

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - матриці

опис

MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)
  • статус частини
    Active
  • фет типу
    2 N-Channel (Dual)
  • функція fet
    Standard
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    40V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    7.1A
  • rds on (max) @ id, vgs
    17mOhm @ 11.1A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4.5V @ 250µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    70nC @ 10V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    -
  • потужність - макс
    1.4W
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет / футляр
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • пакет пристрою постачальника
    PowerPAK® SO-8 Dual

SI7962DP-T1-E3 Запит про ціну

В наявності 11180
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
1.93500
Планова ціна:
Всього:1.93500

Технічний паспорт