TK290P65Y,RQ

TK290P65Y,RQ

Виробник

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - поодинокі

опис

MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    DTMOSV
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус частини
    Active
  • фет типу
    N-Channel
  • технології
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    650 V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    11.5A (Tc)
  • напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    290mOhm @ 5.8A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 450µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    25 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±30V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    730 pF @ 300 V
  • функція fet
    -
  • Розсіювана потужність (макс.)
    100W (Tc)
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет пристрою постачальника
    DPAK
  • пакет / футляр
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK290P65Y,RQ Запит про ціну

В наявності 11618
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
1.86000
Планова ціна:
Всього:1.86000

Технічний паспорт