-
-
Низька ціна через Factory-Direct
Працюйте безпосередньо з фабрикою електроніки, щоб уникнути посередників. Новий оригінал з низькою та зниженою ціною
-
Безпека та якість Надійність
Система страхування якості для чудової якості продукції. Вчасне, щоразове забезпечення якісних компонентів.
-
Понад 15 мільйонів запасів
100+ найвідоміших світових виробників, понад 15 мільйонів запасів. Доступні запаси, які можна придбати безпосередньо зі знижкою.
-
Дружнє обслуговування клієнтів
Універсальне рішення, персоналізоване відповідно до ваших унікальних вимог. Підтримка веб-сайту на 12 мовах, більше зручності та швидкі послуги.
RN2130MFV,L3F
Виробник
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
категорія продукту
транзистори - біполярні (bjt) - одинарні, попередньо зміщені
опис
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Технічні характеристики
-
серії-
-
пакетTape & Reel (TR)
-
статус частиниActive
-
транзисторного типуPNP - Pre-Biased
-
струм - колектор (ic) (макс.)100 mA
-
напруга - пробій колектора емітера (макс.)50 V
-
резистор - база (r1)100 kOhms
-
резистор - база емітера (r2)100 kOhms
-
посилення струму постійного струму (hfe) (хв.) @ ic, vce100 @ 10mA, 5V
-
насичення vce (макс.) @ ib, ic300mV @ 500µA, 5mA
-
струм - колекторне відсічення (макс.)100nA (ICBO)
-
частота – перех-
-
потужність - макс150 mW
-
тип монтажуSurface Mount
-
пакет / футлярSOT-723
-
пакет пристрою постачальникаVESM
