RN2106MFV,L3F(CT

RN2106MFV,L3F(CT

Виробник

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

категорія продукту

транзистори - біполярні (bjt) - одинарні, попередньо зміщені

опис

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус частини
    Active
  • транзисторного типу
    PNP - Pre-Biased
  • струм - колектор (ic) (макс.)
    100 mA
  • напруга - пробій колектора емітера (макс.)
    50 V
  • резистор - база (r1)
    4.7 kOhms
  • резистор - база емітера (r2)
    47 kOhms
  • посилення струму постійного струму (hfe) (хв.) @ ic, vce
    80 @ 10mA, 5V
  • насичення vce (макс.) @ ib, ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • струм - колекторне відсічення (макс.)
    500nA
  • частота – перех
    250 MHz
  • потужність - макс
    150 mW
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет / футляр
    SOT-723
  • пакет пристрою постачальника
    VESM

RN2106MFV,L3F(CT Запит про ціну

В наявності 56547
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
0.18000
Планова ціна:
Всього:0.18000