MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

Виробник

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

категорія продукту

транзистори - біполярні (bjt) - рф

опис

RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус частини
    Active
  • транзисторного типу
    NPN
  • напруга - пробій колектора емітера (макс.)
    5.3V
  • частота – перех
    12.5GHz
  • коефіцієнт шуму (db typ @ f)
    1.45dB @ 1GHz
  • посилення
    11.8dB
  • потужність - макс
    800mW
  • посилення струму постійного струму (hfe) (хв.) @ ic, vce
    200 @ 30mA, 5V
  • струм - колектор (ic) (макс.)
    100mA
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет / футляр
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • пакет пристрою постачальника
    S-Mini

MT3S113(TE85L,F) Запит про ціну

В наявності 29439
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
0.70000
Планова ціна:
Всього:0.70000

Технічний паспорт