MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

Виробник

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

категорія продукту

транзистори - біполярні (bjt) - рф

опис

RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус частини
    Active
  • транзисторного типу
    NPN
  • напруга - пробій колектора емітера (макс.)
    6V
  • частота – перех
    8GHz
  • коефіцієнт шуму (db typ @ f)
    1.25dB @ 1GHz
  • посилення
    10.5dB
  • потужність - макс
    1W
  • посилення струму постійного струму (hfe) (хв.) @ ic, vce
    200 @ 30mA, 5V
  • струм - колектор (ic) (макс.)
    100mA
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет / футляр
    TO-243AA
  • пакет пристрою постачальника
    PW-MINI

MT3S111P(TE12L,F) Запит про ціну

В наявності 23396
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
0.89000
Планова ціна:
Всього:0.89000

Технічний паспорт