Технічні характеристики

• серії
  LinCMOS™
• пакет
  Tube
• статус частини
  Active
• тип підсилювача
  J-FET
• кількість контурів
  2
• тип виведення
  -
• швидкість наростання
  20.7V/µs
• отримати продукт пропускної здатності
  3 MHz
• -3db пропускна здатність
  -
• струм - вхідне зміщення
  30 pA
• напруга - вхідний зсув
  650 µV
• струм - живлення
  4.8mA (x2 Channels)
• струм - вихід / канал
  80 mA
• напруга - живлення, одинарний/подвійний (±)
  10V ~ 30V, ±5V ~ 15V
• Робоча температура
  0°C ~ 70°C (TA)
• тип монтажу
  Through Hole
• пакет / футляр
  8-DIP (0.300", 7.62mm)
• пакет пристрою постачальника
  8-PDIP