TSM60NB600CH C5G

TSM60NB600CH C5G

Виробник

TSC (Taiwan Semiconductor)

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - поодинокі

опис

MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO251

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Tube
  • статус частини
    Active
  • фет типу
    N-Channel
  • технології
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    600 V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    7A (Tc)
  • напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    600mOhm @ 2.1A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 250µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    13 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±30V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    516 pF @ 100 V
  • функція fet
    -
  • Розсіювана потужність (макс.)
    63W (Tc)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтажу
    Through Hole
  • пакет пристрою постачальника
    TO-251 (IPAK)
  • пакет / футляр
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

TSM60NB600CH C5G Запит про ціну

В наявності 31081
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
0.66225
Планова ціна:
Всього:0.66225

Технічний паспорт