TSM4NB60CH X0G

TSM4NB60CH X0G

Виробник

TSC (Taiwan Semiconductor)

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - поодинокі

опис

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Tube
  • статус частини
    Active
  • фет типу
    N-Channel
  • технології
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    600 V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    4A (Tc)
  • напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    2.5Ohm @ 2A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4.5V @ 250µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    14.5 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±30V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    500 pF @ 25 V
  • функція fet
    -
  • Розсіювана потужність (макс.)
    50W (Tc)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтажу
    Through Hole
  • пакет пристрою постачальника
    TO-251 (IPAK)
  • пакет / футляр
    TO-251-3 Stub Leads, IPak

TSM4NB60CH X0G Запит про ціну

В наявності 31649
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
0.32445
Планова ціна:
Всього:0.32445

Технічний паспорт