STGB30H60DFB

STGB30H60DFB

Виробник

STMicroelectronics

категорія продукту

транзистори - igbts - одинарні

опис

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус частини
    Active
  • тип igbt
    Trench Field Stop
  • напруга - пробій колектора емітера (макс.)
    600 V
  • струм - колектор (ic) (макс.)
    60 A
  • струм - колектор імпульсний (icm)
    120 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2V @ 15V, 30A
  • потужність - макс
    260 W
  • енергія перемикання
    383µJ (on), 293µJ (off)
  • тип введення
    Standard
  • затворний заряд
    149 nC
  • td (вмикання/вимкнення) при 25°c
    37ns/146ns
  • умова випробування
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • час зворотного відновлення (trr)
    53 ns
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет / футляр
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • пакет пристрою постачальника
    D2PAK

STGB30H60DFB Запит про ціну

В наявності 12714
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
2.52000
Планова ціна:
Всього:2.52000

Технічний паспорт