Технічні характеристики

• серії
  -
• пакет
  Bulk
• статус частини
  Obsolete
• відстань відчуття
  0.063" (1.6mm)
• метод зондування
  Through-Beam
• вихідна конфігурація
  Phototransistor
• струм - прямий постійний струм (якщо) (макс.)
  50 mA
• струм - колектор (ic) (макс.)
  20 mA
• напруга - пробій колектора емітера (макс.)
  35 V
• час реакції
  35µs, 35µs
• Робоча температура
  -25°C ~ 85°C
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет / футляр
  4-SMD