Технічні характеристики

• серії
  -
• пакет
  Tube
• статус частини
  Active
• фет типу
  N-Channel
• технології
  SiCFET (Silicon Carbide)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  1200 V
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  10A (Tc)
• напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
  18V
• rds on (max) @ id, vgs
  585mOhm @ 3A, 18V
• vgs(th) (макс.) @ id
  4V @ 900µA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  27 nC @ 18 V
• vgs (макс.)
  +22V, -6V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  463 pF @ 800 V
• функція fet
  -
• Розсіювана потужність (макс.)
  85W (Tc)
• Робоча температура
  175°C (TJ)
• тип монтажу
  Through Hole
• пакет пристрою постачальника
  TO-247
• пакет / футляр
  TO-247-3