RGTV60TK65GVC11

RGTV60TK65GVC11

Виробник

ROHM Semiconductor

категорія продукту

транзистори - igbts - одинарні

опис

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Tube
  • статус частини
    Active
  • тип igbt
    Trench Field Stop
  • напруга - пробій колектора емітера (макс.)
    650 V
  • струм - колектор (ic) (макс.)
    33 A
  • струм - колектор імпульсний (icm)
    120 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    1.9V @ 15V, 30A
  • потужність - макс
    76 W
  • енергія перемикання
    570µJ (on), 500µJ (off)
  • тип введення
    Standard
  • затворний заряд
    64 nC
  • td (вмикання/вимкнення) при 25°c
    33ns/105ns
  • умова випробування
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • час зворотного відновлення (trr)
    -
  • Робоча температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтажу
    Through Hole
  • пакет / футляр
    TO-3PFM, SC-93-3
  • пакет пристрою постачальника
    TO-3PFM

RGTV60TK65GVC11 Запит про ціну

В наявності 6934
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
4.92000
Планова ціна:
Всього:4.92000

Технічний паспорт