RGS80TSX2DHRC11

RGS80TSX2DHRC11

Виробник

ROHM Semiconductor

категорія продукту

транзистори - igbts - одинарні

опис

1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Tube
  • статус частини
    Active
  • тип igbt
    Trench Field Stop
  • напруга - пробій колектора емітера (макс.)
    1200 V
  • струм - колектор (ic) (макс.)
    80 A
  • струм - колектор імпульсний (icm)
    120 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 40A
  • потужність - макс
    555 W
  • енергія перемикання
    3mJ (on), 3.1mJ (off)
  • тип введення
    Standard
  • затворний заряд
    104 nC
  • td (вмикання/вимкнення) при 25°c
    49ns/199ns
  • умова випробування
    600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • час зворотного відновлення (trr)
    198 ns
  • Робоча температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтажу
    Through Hole
  • пакет / футляр
    TO-247-3
  • пакет пристрою постачальника
    TO-247N

RGS80TSX2DHRC11 Запит про ціну

В наявності 4956
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
12.03000
Планова ціна:
Всього:12.03000