RGC80TSX8RGC11

RGC80TSX8RGC11

Виробник

ROHM Semiconductor

категорія продукту

транзистори - igbts - одинарні

опис

IGBT

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Tube
  • статус частини
    Active
  • тип igbt
    Trench Field Stop
  • напруга - пробій колектора емітера (макс.)
    1800 V
  • струм - колектор (ic) (макс.)
    80 A
  • струм - колектор імпульсний (icm)
    120 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    5V @ 15V, 40A
  • потужність - макс
    535 W
  • енергія перемикання
    1.85mJ (on), 1.6mJ (off)
  • тип введення
    Standard
  • затворний заряд
    468 nC
  • td (вмикання/вимкнення) при 25°c
    80ns/565ns
  • умова випробування
    600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • час зворотного відновлення (trr)
    -
  • Робоча температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтажу
    Through Hole
  • пакет / футляр
    TO-247-3
  • пакет пристрою постачальника
    TO-247N

RGC80TSX8RGC11 Запит про ціну

В наявності 7066
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
8.22000
Планова ціна:
Всього:8.22000