EMB9T2R

EMB9T2R

Виробник

ROHM Semiconductor

категорія продукту

транзистори - біполярні (bjt) - матриці, попередньо зміщені

опис

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус частини
    Not For New Designs
  • транзисторного типу
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • струм - колектор (ic) (макс.)
    100mA
  • напруга - пробій колектора емітера (макс.)
    50V
  • резистор - база (r1)
    10kOhms
  • резистор - база емітера (r2)
    47kOhms
  • посилення струму постійного струму (hfe) (хв.) @ ic, vce
    68 @ 5mA, 5V
  • насичення vce (макс.) @ ib, ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • струм - колекторне відсічення (макс.)
    500nA
  • частота – перех
    250MHz
  • потужність - макс
    150mW
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет / футляр
    SOT-563, SOT-666
  • пакет пристрою постачальника
    EMT6

EMB9T2R Запит про ціну

В наявності 103669
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
0.09731
Планова ціна:
Всього:0.09731

Технічний паспорт