EMA3T2R

EMA3T2R

Виробник

ROHM Semiconductor

категорія продукту

транзистори - біполярні (bjt) - матриці, попередньо зміщені

опис

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)
  • статус частини
    Active
  • транзисторного типу
    2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • струм - колектор (ic) (макс.)
    100mA
  • напруга - пробій колектора емітера (макс.)
    50V
  • резистор - база (r1)
    4.7kOhms
  • резистор - база емітера (r2)
    -
  • посилення струму постійного струму (hfe) (хв.) @ ic, vce
    100 @ 1mA, 5V
  • насичення vce (макс.) @ ib, ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • струм - колекторне відсічення (макс.)
    500nA (ICBO)
  • частота – перех
    250MHz
  • потужність - макс
    150mW
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет / футляр
    6-SMD (5 Leads), Flat Lead
  • пакет пристрою постачальника
    EMT5

EMA3T2R Запит про ціну

В наявності 146897
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
0.06850
Планова ціна:
Всього:0.06850

Технічний паспорт