Технічні характеристики

• серії
  -
• пакет
  Tray
• статус частини
  Active
• фет типу
  2 N-Channel (Half Bridge)
• функція fet
  Silicon Carbide (SiC)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  1200V (1.2kV)
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  300A (Tc)
• rds on (max) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (макс.) @ id
  4V @ 68mA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  -
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  35000pF @ 10V
• потужність - макс
  1875W
• Робоча температура
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Chassis Mount
• пакет / футляр
  Module
• пакет пристрою постачальника
  Module