Технічні характеристики

• серії
  TrenchMOS™
• пакет
  Bulk
• статус частини
  Active
• фет типу
  N-Channel
• технології
  MOSFET (Metal Oxide)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  55 V
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  4.9A (Ta), 10.7A (Tc)
• напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
  -
• rds on (max) @ id, vgs
  40mOhm @ 5A, 5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2V @ 1mA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  17 nC @ 5 V
• vgs (макс.)
  ±13V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  1400 pF @ 25 V
• функція fet
  -
• Розсіювана потужність (макс.)
  1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
• Робоча температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет пристрою постачальника
  SC-73
• пакет / футляр
  TO-261-4, TO-261AA