NTMD2C02R2G

NTMD2C02R2G

Виробник

Rochester Electronics

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - матриці

опис

P-CHANNEL POWER MOSFET

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Bulk
  • статус частини
    Obsolete
  • фет типу
    N and P-Channel
  • функція fet
    Logic Level Gate
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    20V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    5.2A, 3.4A
  • rds on (max) @ id, vgs
    43mOhm @ 4A, 4.5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1.2V @ 250µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    20nC @ 4.5V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    1100pF @ 10V
  • потужність - макс
    2W
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет / футляр
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • пакет пристрою постачальника
    8-SOIC

NTMD2C02R2G Запит про ціну

В наявності 27919
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
0.37000
Планова ціна:
Всього:0.37000

Технічний паспорт