Технічні характеристики

• серії
  -
• пакет
  Bulk
• статус частини
  Obsolete
• фет типу
  P-Channel
• технології
  MOSFET (Metal Oxide)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  20 V
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  3.9A (Ta)
• напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
  -
• rds on (max) @ id, vgs
  46mOhm @ 3.9A, 4.5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  1.2V @ 250µA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  22 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  -
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  710 pF @ 5 V
• функція fet
  -
• Розсіювана потужність (макс.)
  -
• Робоча температура
  -
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет пристрою постачальника
  ChipFET™
• пакет / футляр
  8-SMD, Flat Lead