NSV40301MDR2G

NSV40301MDR2G

Виробник

Rochester Electronics

категорія продукту

транзистори - біполярні (bjt) - матриці

опис

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Bulk
  • статус частини
    Active
  • транзисторного типу
    2 NPN (Dual)
  • струм - колектор (ic) (макс.)
    3A
  • напруга - пробій колектора емітера (макс.)
    40V
  • насичення vce (макс.) @ ib, ic
    115mV @ 200mA, 2A
  • струм - колекторне відсічення (макс.)
    100nA (ICBO)
  • посилення струму постійного струму (hfe) (хв.) @ ic, vce
    180 @ 2A, 2V
  • потужність - макс
    653mW
  • частота – перех
    100MHz
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет / футляр
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • пакет пристрою постачальника
    8-SOIC

NSV40301MDR2G Запит про ціну

В наявності 33141
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
0.31000
Планова ціна:
Всього:0.31000

Технічний паспорт