-
-
Низька ціна через Factory-Direct
Працюйте безпосередньо з фабрикою електроніки, щоб уникнути посередників. Новий оригінал з низькою та зниженою ціною
-
Безпека та якість Надійність
Система страхування якості для чудової якості продукції. Вчасне, щоразове забезпечення якісних компонентів.
-
Понад 15 мільйонів запасів
100+ найвідоміших світових виробників, понад 15 мільйонів запасів. Доступні запаси, які можна придбати безпосередньо зі знижкою.
-
Дружнє обслуговування клієнтів
Універсальне рішення, персоналізоване відповідно до ваших унікальних вимог. Підтримка веб-сайту на 12 мовах, більше зручності та швидкі послуги.
NE3513M04-T2B-A
Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн
Технічні характеристики
-
серії-
-
пакетBulk
-
статус частиниObsolete
-
транзисторного типуN-Channel GaAs HJ-FET
-
частота12GHz
-
посилення13dB
-
напруга - тест2 V
-
номінальний струм (ампер)60mA
-
коефіцієнт шуму0.65dB
-
струм - тест10 mA
-
потужність - вихід125mW
-
напруга - номінальна4 V
-
пакет / футляр4-SMD, Flat Leads
-
пакет пристрою постачальника4-Super Mini Mold
