ISL9N302AP3

ISL9N302AP3

Виробник

Rochester Electronics

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - поодинокі

опис

MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    UltraFET™
  • пакет
    Tube
  • статус частини
    Obsolete
  • фет типу
    N-Channel
  • технології
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    30 V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    75A (Tc)
  • напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
    4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    2.5mOhm @ 75A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3V @ 250µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    300 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    11 pF @ 15 V
  • функція fet
    -
  • Розсіювана потужність (макс.)
    345W (Tc)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтажу
    Through Hole
  • пакет пристрою постачальника
    TO-220-3
  • пакет / футляр
    TO-220-3

ISL9N302AP3 Запит про ціну

В наявності 19267
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
1.09000
Планова ціна:
Всього:1.09000

Технічний паспорт