-
-
Низька ціна через Factory-Direct
Працюйте безпосередньо з фабрикою електроніки, щоб уникнути посередників. Новий оригінал з низькою та зниженою ціною
-
Безпека та якість Надійність
Система страхування якості для чудової якості продукції. Вчасне, щоразове забезпечення якісних компонентів.
-
Понад 15 мільйонів запасів
100+ найвідоміших світових виробників, понад 15 мільйонів запасів. Доступні запаси, які можна придбати безпосередньо зі знижкою.
-
Дружнє обслуговування клієнтів
Універсальне рішення, персоналізоване відповідно до ваших унікальних вимог. Підтримка веб-сайту на 12 мовах, більше зручності та швидкі послуги.
IRS21281SPBF
Виробник
категорія продукту
опис
BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI
Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн
Технічні характеристики
-
серії-
-
пакетBulk
-
статус частиниActive
-
керована конфігураціяHigh-Side
-
тип каналуSingle
-
кількість водіїв1
-
тип ворітIGBT, N-Channel MOSFET
-
напруга - живлення9V ~ 20V
-
логічна напруга - vil, vih0.8V, 2.5V
-
струм - піковий вихід (джерело, поглинач)290mA, 600mA
-
тип введенняInverting
-
напруга високої сторони - макс (бутстрап)600 V
-
час наростання/спаду (тип.)80ns, 40ns
-
Робоча температура-40°C ~ 150°C (TJ)
-
тип монтажуSurface Mount
-
пакет / футляр8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
-
пакет пристрою постачальника8-SOIC
