Технічні характеристики

• серії
  HEXFET®
• пакет
  Bulk
• статус частини
  Active
• фет типу
  N-Channel
• технології
  MOSFET (Metal Oxide)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  55 V
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  51A (Tc)
• напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
  -
• rds on (max) @ id, vgs
  13.5mOhm @ 31A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  3V @ 250µA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  36 nC @ 5 V
• vgs (макс.)
  ±16V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  1620 pF @ 25 V
• функція fet
  -
• Розсіювана потужність (макс.)
  80W (Tc)
• Робоча температура
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет пристрою постачальника
  PG-TO263-3-2
• пакет / футляр
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB