Технічні характеристики

• серії
  HEXFET®
• пакет
  Tube
• статус частини
  Active
• фет типу
  2 N-Channel (Dual)
• функція fet
  Logic Level Gate
• напруга відведення до джерела (vdss)
  20V
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  5.2A
• rds on (max) @ id, vgs
  50mOhm @ 2.6A, 4.5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  700mV @ 250µA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  20nC @ 4.5V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  660pF @ 15V
• потужність - макс
  2W
• Робоча температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет / футляр
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• пакет пристрою постачальника
  8-SO