-
-
Низька ціна через Factory-Direct
Працюйте безпосередньо з фабрикою електроніки, щоб уникнути посередників. Новий оригінал з низькою та зниженою ціною
-
Безпека та якість Надійність
Система страхування якості для чудової якості продукції. Вчасне, щоразове забезпечення якісних компонентів.
-
Понад 15 мільйонів запасів
100+ найвідоміших світових виробників, понад 15 мільйонів запасів. Доступні запаси, які можна придбати безпосередньо зі знижкою.
-
Дружнє обслуговування клієнтів
Універсальне рішення, персоналізоване відповідно до ваших унікальних вимог. Підтримка веб-сайту на 12 мовах, більше зручності та швидкі послуги.
IR2106PBF
Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн
Технічні характеристики
-
серії-
-
пакетBulk
-
статус частиниActive
-
керована конфігураціяHalf-Bridge
-
тип каналуIndependent
-
кількість водіїв2
-
тип ворітIGBT, N-Channel MOSFET
-
напруга - живлення10V ~ 20V
-
логічна напруга - vil, vih0.8V, 2.9V
-
струм - піковий вихід (джерело, поглинач)200mA, 350mA
-
тип введенняNon-Inverting
-
напруга високої сторони - макс (бутстрап)600 V
-
час наростання/спаду (тип.)150ns, 50ns
-
Робоча температура-40°C ~ 150°C (TJ)
-
тип монтажуThrough Hole
-
пакет / футляр8-DIP (0.300", 7.62mm)
-
пакет пристрою постачальника8-PDIP
