IPP120N04S302AKSA1

IPP120N04S302AKSA1

Виробник

Rochester Electronics

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - поодинокі

опис

PFET, 120A I(D), 40V, 0.0023OHM,

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    OptiMOS™
  • пакет
    Tube
  • статус частини
    Active
  • фет типу
    N-Channel
  • технології
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    40 V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    120A (Tc)
  • напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    2.3mOhm @ 80A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 230µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    210 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    14.3 pF @ 25 V
  • функція fet
    -
  • Розсіювана потужність (макс.)
    300W (Tc)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтажу
    Through Hole
  • пакет пристрою постачальника
    PG-TO220-3-1
  • пакет / футляр
    TO-220-3

IPP120N04S302AKSA1 Запит про ціну

В наявності 15302
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
2.07000
Планова ціна:
Всього:2.07000

Технічний паспорт