IPD088N04LGBTMA1

IPD088N04LGBTMA1

Виробник

Rochester Electronics

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - поодинокі

опис

MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    OptiMOS™
  • пакет
    Bulk
  • статус частини
    Obsolete
  • фет типу
    N-Channel
  • технології
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    40 V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    50A (Tc)
  • напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
    4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    8.8mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2V @ 16µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    28 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    2.1 pF @ 20 V
  • функція fet
    -
  • Розсіювана потужність (макс.)
    47W (Tc)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет пристрою постачальника
    PG-TO252-3
  • пакет / футляр
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD088N04LGBTMA1 Запит про ціну

В наявності 42508
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
0.24000
Планова ціна:
Всього:0.24000

Технічний паспорт