IPB50CN10NGATMA1

IPB50CN10NGATMA1

Виробник

Rochester Electronics

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - поодинокі

опис

MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    OptiMOS™
  • пакет
    Bulk
  • статус частини
    Obsolete
  • фет типу
    N-Channel
  • технології
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    100 V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    20A (Tc)
  • напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    50mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 20µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    16 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    1.09 pF @ 50 V
  • функція fet
    -
  • Розсіювана потужність (макс.)
    44W (Tc)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет пристрою постачальника
    PG-TO263-3-2
  • пакет / футляр
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB50CN10NGATMA1 Запит про ціну

В наявності 39444
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
0.52000
Планова ціна:
Всього:0.52000

Технічний паспорт