NXH35C120L2C2SG

NXH35C120L2C2SG

Виробник

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

категорія продукту

транзистори - igbts - модулі

опис

IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Tube
  • статус частини
    Active
  • тип igbt
    -
  • конфігурація
    Three Phase Inverter with Brake
  • напруга - пробій колектора емітера (макс.)
    1200 V
  • струм - колектор (ic) (макс.)
    35 A
  • потужність - макс
    20 mW
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.4V @ 15V, 35A
  • струм - колекторне відсічення (макс.)
    250 µA
  • вхідна ємність (cies) @ vce
    8.33 nF @ 20 V
  • введення
    Three Phase Bridge Rectifier
  • ntc термістор
    Yes
  • Робоча температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтажу
    Through Hole
  • пакет / футляр
    26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
  • пакет пристрою постачальника
    26-DIP

NXH35C120L2C2SG Запит про ціну

В наявності 1946
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
50.98000
Планова ціна:
Всього:50.98000