Технічні характеристики

• серії
  -
• пакет
  Bag
• статус частини
  Active
• фет типу
  N-Channel
• технології
  MOSFET (Metal Oxide)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  100 V
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  20A
• напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
  5V
• rds on (max) @ id, vgs
  120mOhm @ 10A, 5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.5V @ 250µA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  30 nC @ 5 V
• vgs (макс.)
  ±15V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  1500 pF @ 25 V
• функція fet
  Logic Level Gate, 4V Drive
• Розсіювана потужність (макс.)
  105W (Tc)
• Робоча температура
  175°C (TJ)
• тип монтажу
  Through Hole
• пакет пристрою постачальника
  TO-220
• пакет / футляр
  TO-220-3