Технічні характеристики

• серії
  TrenchMOS™
• пакет
  Tape & Reel (TR)
• статус частини
  Active
• фет типу
  N-Channel
• технології
  MOSFET (Metal Oxide)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  60 V
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  190mA (Ta)
• напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
  5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs
  4.5Ohm @ 100mA, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.1V @ 250µA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  0.43 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  ±20V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  20 pF @ 10 V
• функція fet
  -
• Розсіювана потужність (макс.)
  265mW (Ta)
• Робоча температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет пристрою постачальника
  TO-236AB
• пакет / футляр
  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3