Технічні характеристики

• серії
  -
• пакет
  Bulk
• статус частини
  Active
• фет типу
  P-Channel
• технології
  MOSFET (Metal Oxide)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  500 V
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  54mA (Tj)
• напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
  5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs
  125Ohm @ 10mA, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  4.5V @ 1mA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  -
• vgs (макс.)
  ±20V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  70 pF @ 25 V
• функція fet
  -
• Розсіювана потужність (макс.)
  1W (Tc)
• Робоча температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Through Hole
• пакет пристрою постачальника
  TO-92-3
• пакет / футляр
  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)