Технічні характеристики

• серії
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• статус частини
  Active
• тип igbt
  -
• напруга - пробій колектора емітера (макс.)
  1700 V
• струм - колектор (ic) (макс.)
  80 A
• струм - колектор імпульсний (icm)
  300 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  2.8V @ 15V, 42A
• потужність - макс
  360 W
• енергія перемикання
  -
• тип введення
  Standard
• затворний заряд
  188 nC
• td (вмикання/вимкнення) при 25°c
  -
• умова випробування
  -
• час зворотного відновлення (trr)
  1.32 µs
• Робоча температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет / футляр
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• пакет пристрою постачальника
  TO-268