Технічні характеристики

• серії
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• статус частини
  Not For New Designs
• тип igbt
  -
• напруга - пробій колектора емітера (макс.)
  3600 V
• струм - колектор (ic) (макс.)
  70 A
• струм - колектор імпульсний (icm)
  220 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  3.4V @ 15V, 20A
• потужність - макс
  430 W
• енергія перемикання
  15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
• тип введення
  Standard
• затворний заряд
  110 nC
• td (вмикання/вимкнення) при 25°c
  18ns/238ns
• умова випробування
  1500V, 20A, 10Ohm, 15V
• час зворотного відновлення (trr)
  1.7 µs
• Робоча температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет / футляр
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• пакет пристрою постачальника
  TO-268