Технічні характеристики

• серії
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• статус частини
  Active
• тип igbt
  -
• конфігурація
  Single
• напруга - пробій колектора емітера (макс.)
  1700 V
• струм - колектор (ic) (макс.)
  145 A
• потужність - макс
  625 W
• vce(on) (max) @ vge, ic
  3.1V @ 15V, 75A
• струм - колекторне відсічення (макс.)
  25 µA
• вхідна ємність (cies) @ vce
  6.93 nF @ 25 V
• введення
  Standard
• ntc термістор
  No
• Робоча температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Chassis Mount
• пакет / футляр
  SOT-227-4, miniBLOC
• пакет пристрою постачальника
  SOT-227B