Технічні характеристики

• серії
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• статус частини
  Active
• тип igbt
  -
• напруга - пробій колектора емітера (макс.)
  1700 V
• струм - колектор (ic) (макс.)
  42 A
• струм - колектор імпульсний (icm)
  265 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  6V @ 15V, 21A
• потужність - макс
  357 W
• енергія перемикання
  3.43mJ (on), 430µJ (off)
• тип введення
  Standard
• затворний заряд
  188 nC
• td (вмикання/вимкнення) при 25°c
  19ns/200ns
• умова випробування
  850V, 21A, 1Ohm, 15V
• час зворотного відновлення (trr)
  330 ns
• Робоча температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Through Hole
• пакет / футляр
  TO-247-3
• пакет пристрою постачальника
  TO-247AD (IXBH)