Технічні характеристики

• серії
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• статус частини
  Active
• тип igbt
  -
• напруга - пробій колектора емітера (макс.)
  3000 V
• струм - колектор (ic) (макс.)
  34 A
• струм - колектор імпульсний (icm)
  88 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  2.8V @ 15V, 10A
• потужність - макс
  180 W
• енергія перемикання
  -
• тип введення
  Standard
• затворний заряд
  46 nC
• td (вмикання/вимкнення) при 25°c
  36ns/100ns
• умова випробування
  960V, 10A, 10Ohm, 15V
• час зворотного відновлення (trr)
  1.6 µs
• Робоча температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет / футляр
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• пакет пристрою постачальника
  TO-263