Технічні характеристики

• серії
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• статус частини
  Active
• тип igbt
  -
• напруга - пробій колектора емітера (макс.)
  1700 V
• струм - колектор (ic) (макс.)
  16 A
• струм - колектор імпульсний (icm)
  40 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  6V @ 15V, 10A
• потужність - макс
  150 W
• енергія перемикання
  2.5mJ (off)
• тип введення
  Standard
• затворний заряд
  65 nC
• td (вмикання/вимкнення) при 25°c
  15ns/250ns
• умова випробування
  1360V, 10A, 10Ohm, 15V
• час зворотного відновлення (trr)
  25 ns
• Робоча температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет / футляр
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• пакет пристрою постачальника
  TO-263HV