ISC026N03L5SATMA1

ISC026N03L5SATMA1

Виробник

IR (Infineon Technologies)

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - поодинокі

опис

MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    OptiMOS™
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус частини
    Active
  • фет типу
    N-Channel
  • технології
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    30 V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    24A (Ta), 100A (Tc)
  • напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
    4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    2.6mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2V @ 250µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    26 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    1700 pF @ 15 V
  • функція fet
    -
  • Розсіювана потужність (макс.)
    2.5W (Ta), 48W (Tc)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет пристрою постачальника
    PG-TDSON-8-6
  • пакет / футляр
    8-PowerTDFN

ISC026N03L5SATMA1 Запит про ціну

В наявності 21492
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
0.97000
Планова ціна:
Всього:0.97000