IRFB5615PBF

IRFB5615PBF

Виробник

IR (Infineon Technologies)

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - поодинокі

опис

MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Tube
  • статус частини
    Active
  • фет типу
    N-Channel
  • технології
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    150 V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    35A (Tc)
  • напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    39mOhm @ 21A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    5V @ 100µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    40 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    1750 pF @ 50 V
  • функція fet
    -
  • Розсіювана потужність (макс.)
    144W (Tc)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтажу
    Through Hole
  • пакет пристрою постачальника
    TO-220AB
  • пакет / футляр
    TO-220-3

IRFB5615PBF Запит про ціну

В наявності 11918
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
1.83000
Планова ціна:
Всього:1.83000

Технічний паспорт