IPD600N25N3GBTMA1

IPD600N25N3GBTMA1

Виробник

IR (Infineon Technologies)

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - поодинокі

опис

MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    OptiMOS™
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус частини
    Obsolete
  • фет типу
    N-Channel
  • технології
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    250 V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    25A (Tc)
  • напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    60mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 90µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    29 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    2350 pF @ 100 V
  • функція fet
    -
  • Розсіювана потужність (макс.)
    136W (Tc)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет пристрою постачальника
    PG-TO252-3
  • пакет / футляр
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD600N25N3GBTMA1 Запит про ціну

В наявності 6736
Кількість:
Планова ціна:
Всього:0

Технічний паспорт