IPA95R1K2P7XKSA1

IPA95R1K2P7XKSA1

Виробник

IR (Infineon Technologies)

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - поодинокі

опис

MOSFET N-CH 950V 6A TO220

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    CoolMOS™ P7
  • пакет
    Tube
  • статус частини
    Active
  • фет типу
    N-Channel
  • технології
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    950 V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    6A (Tc)
  • напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    1.2Ohm @ 2.7A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3.5V @ 140µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    15 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    478 pF @ 400 V
  • функція fet
    -
  • Розсіювана потужність (макс.)
    27W (Tc)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтажу
    Through Hole
  • пакет пристрою постачальника
    PG-TO220 Full Pack
  • пакет / футляр
    TO-220-3 Full Pack

IPA95R1K2P7XKSA1 Запит про ціну

В наявності 12086
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
1.78000
Планова ціна:
Всього:1.78000

Технічний паспорт