IPA80R1K0CEXKSA2

IPA80R1K0CEXKSA2

Виробник

IR (Infineon Technologies)

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - поодинокі

опис

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    CoolMOS™ CE
  • пакет
    Tube
  • статус частини
    Active
  • фет типу
    N-Channel
  • технології
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    800 V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    5.7A (Tc)
  • напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    950mOhm @ 3.6A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3.9V @ 250µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    31 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    785 pF @ 100 V
  • функція fet
    -
  • Розсіювана потужність (макс.)
    32W (Tc)
  • Робоча температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтажу
    Through Hole
  • пакет пристрою постачальника
    PG-TO220-FP
  • пакет / футляр
    TO-220-3 Full Pack

IPA80R1K0CEXKSA2 Запит про ціну

В наявності 11709
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
1.85000
Планова ціна:
Всього:1.85000

Технічний паспорт