FF100R12KS4HOSA1

FF100R12KS4HOSA1

Виробник

IR (Infineon Technologies)

категорія продукту

транзистори - igbts - модулі

опис

IGBT MOD 1200V 150A 780W

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Bulk
  • статус частини
    Active
  • тип igbt
    -
  • конфігурація
    2 Independent
  • напруга - пробій колектора емітера (макс.)
    1200 V
  • струм - колектор (ic) (макс.)
    150 A
  • потужність - макс
    780 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    3.7V @ 15V, 100A
  • струм - колекторне відсічення (макс.)
    5 mA
  • вхідна ємність (cies) @ vce
    650 nF @ 25 V
  • введення
    Standard
  • ntc термістор
    No
  • Робоча температура
    -40°C ~ 125°C
  • тип монтажу
    Chassis Mount
  • пакет / футляр
    Module
  • пакет пристрою постачальника
    Module

FF100R12KS4HOSA1 Запит про ціну

В наявності 1356
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
98.35000
Планова ціна:
Всього:98.35000

Технічний паспорт